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Hynix e Intel negocian la fabricación conjunta de memorias DRAM en la planta de Ohio de Intel. El acuerdo podría implicar arrendamiento de capacidad o asociación estratégica para fortalecer la cadena de suministro norteamericana de semiconductores de memoria.
Fuente: Electronics Weekly
Intel anunció una inversión de capital de $5.7 mil millones en su planta Fab 34 de Leixlip, Irlanda, para adaptar la instalación al proceso Intel 3. La inversión busca ampliar la capacidad de manufactura de semiconductores avanzados en Europa.
Fuente: Electronics Weekly
El CEO de Intel, Lip-Bu Tan, presentó la hoja de ruta de la empresa en la conferencia de JP Morgan, confirmando el avance hacia procesos de 10A y 7A posteriores a 18A y 14A. La estrategia busca mantener la competitividad en nanometría frente a TSMC y Samsung.
Fuente: Electronics Weekly